Caracterización del coeficiente de ganancia y electroabsorción de una muestra de pozos cuánticos de AlGaAs

 Carlos García Lara, R. Vázquez, S. Mendoza y J. Camas

Sumario. Se presenta la caracterización óptica de una muestra de pozos cuánticos fotorefractivos de AlGaAs de 1.645 mm de espesor, mediante un sistema automático de mezcla de dos ondas, en donde se controló la rejilla de difracción de un diodo láser sintonizable de 835 a 850nm. Se analizó la respuesta del material a diferentes longitudes de onda; así como a diferentes intensidades del haz del láser y, a diferentes campos eléctricos aplicados. Se observaron dos picos de absorción, debido a la presencia de excitones en el material, a 838 y 845nm, con un voltaje aplicado de 2,4 y 6 volts, una resistencia limitadora de corriente de 4.7kW y una corriente máxima del láser de 50 mA. Se observó un coeficiente de electro-absorción elevado, debido a que la aplicación de un campo eléctrico a un semiconductor cambia la absorción del material, conocido como efecto de cuánto confinado Stark, el cual se observa para pozos de configuración longitudinal. Además, para un espacio entre franjas de aproximadamente 1mm y un campo eléctrico aplicado de 4000 volts/cm y 6000 volts/cm, se observó que la máxima eficiencia de difracción se encuentra a 845nm donde se localiza el pico excitónico más alto.

 Abstract.  We present the optical characterization of a photorefractive quantum well sample of AlGaAs with 1.645 mm thicknesses, using an automatic system of two wave mixing, particularly controlling a tuned laser diffraction grating from 835 a 850nm. Several characteristics were analyzed, the sample response at different wavelengths, power laser and, electric fields applied. We observed two absorption peaks, due to exciton present in the sample, at  838nm and 845nm respectively, with 2,4 and 6 applied voltage using a 4.7kW resistor and 50mA maxim current laser. Thus a great electro-absorption coefficient, due an electric field applied to a semiconductor change the material absorption, known like quantum Stark effect, observed in longitudinal configuration. Furthermore, using fringes separately by 1mm and a 4000 and 6000v/cm applied, we observed the best diffraction efficiency at 835nm where are located the upper excitonic peak.

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