Vol. 27,  No. 2B, 2010   Otros números


 

Dispersión dependiente del espín de paquetes de ondas de huecos en hilos cuánticos

 

R. Cuan, L. Diago-Cisnerosa  

 

Facultad de Física, Universidad de La Habana, Cuba. rcuan@fises.fisica.uh.cu,

a) Departamento de Física Aplicada, Facultad de Física, Universidad de La Habana. Cuba. 

ldiago@fisica.uh.cu.  

 

 

  

Sumario. Se estudia la dispersión de un paquete de huecos en el régimen de bandas desacopladas, en presencia de interacción espín-órbita tipo Rashba, en un sistema semiconductor cuasi-unidimensional. Para la descripción de la evolución temporal de paquetes de onda gaussianos de huecos espín-polarizados, bajo acoplamiento espín-órbita tipo Rashba, usamos el método de diferencias finitas. Tal como esperábamos, se observa el desdoblamiento de los coeficientes de transmisión, respecto del caso en que no hay efecto Rashba. En este límite, nuestros resultados coinciden con las predicciones teóricas ampliamente conocidas. Se verifica la regla probabilística que deben satisfacer los coeficientes de dispersión resueltos por el espín. Mostramos el fenómeno de precesión del espín a través de la simulación de la variación de sus componentes. Adicionalmente se muestra la evolución temporal  del proceso de dispersión del paquete de huecos, bajo efecto Rashba para casos particulares de la energía incidente.

 

Abstract. We study scattering processes for holes, in the presence of Rashba spin orbit interaction, through quasi-onedimensional semiconductor systems in the absence of band mixing. The corresponding Schrödinger equation was numerically solved by finite differences method describing the holes with a spin-polarized Gaussian wave-packet. For finite Rashba effect, we have obtained a different behavior of the kinetic coefficients as expected. For the case when Rashba coupling is disregarded, our results agree with widely known theoretical predictions. Spin-resolved dispersion coefficients follow the standard probabilistic rule. The spin vector precession phenomenon was simulated, via the analysis of its components variation. In addition we show a time-line of the dispersion process under Rashba effect for particular cases of the incoming energy.

 

Palabras clave. spin–orbit coupling 71.70.Ej, spin polarized transport in semiconductors 72.25.Dc, spin field effect transistors 85.75.Hh.