Vol. 27,  No. 2B, 2010   Otros números


 

Determinación de la resistencia térmica de láseres semiconductores a partir de parámetros medidos en régimen de pulsos

 

R. Pernas, A. Abelendaa y M. Sánchezb

 

Centro de Protección e Higiene de las Radiaciones, Cuba.  rpernas@cphr.edu.cu

a) Instituto de Ciencia y Tecnología de Materiales, Universidad de La Habana, Zapata y G, Vedado, Ciudad de La Habana 10400

b) Facultad de Física, Universidad de La Habana. San Lázaro y L, Vedado 10400, La Habana, Cuba

†autor para la correspondencia

 

 

 

Sumario. Se obtuvo la resistencia térmica (Rt) y la temperatura máxima de operación de láseres de diferentes materiales semiconductores a partir de parámetros medidos en régimen de pulsos. Se utilizó un método desarrollado en nuestro laboratorio al que se adicionan, el análisis de las incertidumbres y un criterio para decidir el valor de Rt a reportar. Se encontró una buena correspondencia entre los valores obtenidos y los reportados por otros métodos. Los resultados obtenidos en láseres de GaInNAs, constituyen los primeros reportes de Rt en este material. Aunque la temperatura característica de estos dispositivos es mayor que las de los de GaInAsP, los valores de Rt son similares indicando que aún se requieren mejoras para que los láseres en base a nitruros muestren todas sus potencialidades.

 

Abstract. We obtain the thermal resistance (Rt) and the maximum operating temperature of different semiconductor lasers using parameters measured in pulsed regime. A method previously developed in our laboratory was used to which are added, the uncertainty budget and a criterion to decide the Rt value to be reported. The results obtained in this way were found in good agreement with reported values obtained by other methods.  Results for GaInNAs lasers are the first reported values of the thermal resistance in this material. Although the characteristic temperature in these devices is higher that those of GaInAsP, the thermal resistance is similar indicating that further improvements are still required to appreciate the full potential of dilute nitride devices.

 

Palabras clave. Diode lasers 42.55.Px, Semiconductor device, characterization, design and modelling 85.30.De, Thermal resistance.